2025年，全球半導體設備市場在人工智能產(chǎn)業(yè)的強勢拉動下，迎來了歷史性的增長節(jié)點。SEMI在最新發(fā)布的《年終總半導體設備預測報告》中指出，2025年全球半導體制造設備總銷售額預計達1330億美元，同比增長13.7%，遠超2024年1043億美元的紀錄，創(chuàng)下歷史新高。

AI相關投資的爆發(fā)式增長成為貫穿全年的核心主線，尖端邏輯電路、存儲芯片及先進封裝三大領域的設備需求持續(xù)旺盛，推動市場規(guī)模不斷突破。與此同時，中國市場持續(xù)領跑全球，國產(chǎn)半導體設備企業(yè)在政策支持與技術攻堅下加速突圍，行業(yè)格局正在發(fā)生變革。

我國穩(wěn)居全球最大半導體設備市場

從季度表現(xiàn)來看，頭部設備廠商訂單量從2025年第三季度起持續(xù)攀升，全球半導體設備市場總銷售額同比增長11%，環(huán)比超越2024年第四季度的335.6億美元，創(chuàng)下2005年以來季度歷史新高，實現(xiàn)連續(xù)6個季度增長且增幅連續(xù)5個季度保持兩位數(shù)水準，為全年銷售額突破1300億美元大關奠定了基礎。

區(qū)域表現(xiàn)上，中國大陸連續(xù)第10個季度穩(wěn)居全球最大半導體設備市場，2025年第三季度銷售額達145.6億美元，同比增長13%，占全球整體銷售額的比重攀升至43%，為近4個季度以來首次突破40%。這一成績的背后，是本土晶圓廠在成熟制程擴產(chǎn)與先進節(jié)點攻堅上的雙重發(fā)力，即便面臨全球供應鏈波動，國內頭部晶圓廠仍保持穩(wěn)定的資本開支，為設備需求提供了核心支撐。中國臺灣市場則實現(xiàn)爆發(fā)式增長，第三季度銷售額同比暴漲75%至82.1億美元，連續(xù)兩個季度超越韓國躋身全球第二，主要受益于臺積電等領軍企業(yè)面向AI與高性能計算的尖端產(chǎn)能建設，尤其是CoWoS先進封裝與3nm及以下制程的擴產(chǎn)計劃，直接拉動了刻蝕、薄膜沉積等設備的訂單增長。

韓國市場以50.7億美元的銷售額位居第三，同比增長12%，其增長動力高度聚焦于先進存儲器領域，三星、SK海力士等企業(yè)為搶占HBM（高帶寬存儲器）市場先機，大幅加碼DRAM設備投資，推動韓國成為全球HBM相關設備需求最集中的區(qū)域。相比之下，北美與歐洲市場表現(xiàn)疲軟，第三季度北美銷售額同比暴跌52%至21.1億美元，歐洲市場同比大跌50%至5.2億美元，主要因當?shù)貍鹘y(tǒng)邏輯芯片產(chǎn)能調整，且AI相關投資集中于設計端而非制造端，導致設備需求承壓。日本市場則保持穩(wěn)健增長，第三季度銷售額同比增加5%至18.3億美元，憑借在半導體材料與精密設備領域的技術積累，持續(xù)分享全球先進制程擴產(chǎn)的紅利。

SEMI預計至2027年，中國大陸、中國臺灣和韓國仍將位居設備支出前三甲，中國大陸有望在預測期內保持首位。

AI算力仍是最大驅動力

2025年，芯片制造商為滿足AI加速器、高性能計算和高端移動處理器的產(chǎn)能需求，持續(xù)加碼先進節(jié)點投資，行業(yè)正加速向2nm GAA節(jié)點的大批量生產(chǎn)邁進。這一過程直接拉動了刻蝕、薄膜沉積、光刻等高端設備的需求，其中刻蝕設備因GAA制程對工藝精度的嚴苛要求，市場規(guī)模同比增長超20%。

SEMI數(shù)據(jù)顯示，2025年用于先進節(jié)點（7nm及以下）的邏輯電路設備銷售額占比超過60%，其中GAA工藝相關設備需求同比增長超40%。國外頭部廠商中，ASML作為EUV光刻機的核心供應商，2025年全年EUV設備交付量達60余臺，同比增長20%，其中新一代EXE:5200機型交付18臺，單臺設備售價突破1.8億美元，臺積電、三星為主要搶購企業(yè)，兩者合計采購45臺，分別用于3nm規(guī)?；慨a(chǎn)及2nm制程研發(fā)。應用材料推出新一代Endura CoWoS封裝沉積設備，可實現(xiàn)10nm級薄膜厚度控制，2025年出貨量超300臺，客戶涵蓋臺積電、英特爾，全年相關設備營收同比增長35%。TEL發(fā)布用于GAA工藝的刻蝕設備TEO-3000，加工精度達單原子水平，2025年出貨量120臺，其中三星采購58臺用于2nm產(chǎn)線搭建。

國內企業(yè)方面，中微公司的CCP刻蝕設備已成功進入先進制程供應鏈，其60:1超高深寬比介質刻蝕設備成為國內先進制程標配，量產(chǎn)指標穩(wěn)步提升，下一代90:1超高深寬比介質刻蝕設備即將進入市場；北方華創(chuàng)的深硅刻蝕設備實現(xiàn)先進邏輯電路制造批量應用，該公司2025年第三季度財報顯示，營業(yè)收入為273億元，同比上升34.1%，主要業(yè)務涵蓋集成電路裝備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。

AI芯片的快速迭代進一步放大了設備需求。以GPU、ASIC為代表的AI加速芯片對制程精度和性能的要求持續(xù)提升，推動芯片制造企業(yè)加大對超高精度薄膜沉積、離子注入等設備的投資。2025年全球AI芯片相關設備銷售額突破300億美元，占邏輯電路設備市場的46%，成為拉動尖端邏輯電路設備增長的核心動力?？评冢↘LA）推出AI驅動的晶圓缺陷檢測設備KLA-T2000，檢測準確率提升至99.2%，2025年出貨量280臺，臺積電、英偉達均批量采購用于AI芯片產(chǎn)線；泛林半導體（Lam Research）的HBM專用刻蝕設備2025年出貨量同比增長65%，SK海力士、美光為主要客戶，全年營收貢獻超20億美元。

存儲芯片超級周期展示強勢拉動力

晶圓廠設備（含晶圓加工、晶圓廠設施和掩膜/掩模版設備）銷售額在2024年創(chuàng)下1040億美元紀錄后，預計2025年增長11%至1157億美元，核心驅動力是DRAM與HBM領域的超預期投資。

存儲設備賽道在HBM需求的強力拉動下，DRAM設備2025年預計增長15.4%至225億美元，2026、2027年再增長15.1%和7.8%，存儲廠商持續(xù)擴產(chǎn)HBM并升級制程工藝以滿足AI與數(shù)據(jù)中心需求。三星、SK海力士、美光等頭部廠商紛紛擴充HBM產(chǎn)能并升級至更先進制程節(jié)點，HBM4的迭代進一步提升了探針卡等設備的ASP（平均售價），F(xiàn)orm Factor等企業(yè)的HBM相關營收實現(xiàn)翻倍增長。NAND設備市場則以技術升級為主、產(chǎn)能擴張為輔，2025年預計增長45.4%至140億美元，受益于3D NAND堆疊技術進步及主流產(chǎn)能擴張，預計2026、2027年再增12.7%和7.3%，分別達到157億美元和169億美元。3D NAND疊層技術持續(xù)突破，長江存儲等企業(yè)的NAND產(chǎn)線擴產(chǎn)，帶動深寬比刻蝕設備需求激增。

北方華創(chuàng)的部分產(chǎn)品展示

HBM的制造流程涵蓋TSV、凸點制造、堆疊鍵合、封裝測試等關鍵環(huán)節(jié)，其中TSV工藝占HBM總成本的30%，對設備的工藝精度和穩(wěn)定性要求極高。在TSV制造環(huán)節(jié)，深孔刻蝕設備、氣相沉積設備、銅填充設備成為核心需求。國外廠商中，應用材料的TSV銅填充設備2025年出貨量占全球市場份額的68%，三星、SK海力士采購量占其總出貨量的75%；科磊的TSV缺陷檢測設備出貨量同比增長52%，在全球高端HBM檢測設備市場占據(jù)重要地位。

國內企業(yè)方面，盛美上海表示，公司已推出多款適配HBM工藝的設備。其中，公司的UltraECP3d設備可用于TSV銅填充；全線濕法清洗設備及電鍍銅設備等均可用于HBM工藝，全線封測設備（包括濕法設備、涂膠、顯影設備及電鍍銅設備）亦可應用于大算力芯片2.5D封裝工藝。北方華創(chuàng)在HBM芯片制造領域可提供深硅刻蝕、薄膜沉積、熱處理、濕法清洗、電鍍等多款核心設備。中微公司在先進封裝領域（包含HBM工藝）全面布局，包含刻蝕、CVD、PVD、晶圓量檢測設備等，且已經(jīng)發(fā)布TSV深硅通孔設備。邁為股份表示，目前公司高選擇比刻蝕設備及混合鍵合設備等可用于HBM工藝，刻蝕和薄膜沉積設備已廣泛應用于存儲芯片、邏輯芯片制造領域。拓荊科技的HBM專用ALD設備通過頭部存儲廠商驗證，2025年實現(xiàn)小批量出貨。華卓精科研發(fā)推出全系列HBM高端裝備，包括混合鍵合設備、熔融鍵合設備、芯粒鍵合設備、激光剝離設備、激光退火設備，其CMP裝備、減薄裝備、劃切裝備、邊拋裝備等產(chǎn)品均作為HBM、CoWos等芯片堆疊與先進封裝工藝的關鍵核心裝備，目前已在多家頭部客戶獲得應用。

拓荊科技董事長呂光泉認為，存儲價格上漲反映出市場仍存在較大需求缺口，從中長期來看，有望帶動存儲芯片制造廠持續(xù)擴大產(chǎn)能。數(shù)據(jù)量的快速增長正驅動HBM向三維集成等方向演進，3D NAND Flash芯片堆疊層數(shù)不斷提高，技術發(fā)展趨勢將同步抬升下游客戶對先進硬掩模、關鍵介質薄膜以及相關薄膜沉積、鍵合設備的技術要求和采購需求。

全球存儲巨頭的擴產(chǎn)計劃進一步拉動設備需求。三星電子2025~2027年計劃投入500億美元用于HBM產(chǎn)能擴張，2025年新增HBM產(chǎn)線3條，采購ASML EUV設備8臺、應用材料沉積設備25臺；SK海力士將HBM產(chǎn)能提升至每月12萬片晶圓，2025年采購東京電子刻蝕設備30臺、科磊檢測設備40臺；美光科技加速推進HBM4世代技術研發(fā)，2025年采購泛林半導體刻蝕設備22臺，用于HBM4產(chǎn)線搭建。在此背景下，2025年全球HBM相關設備訂單量同比增長65%，其中刻蝕、沉積類設備訂單占比超70%。盡管當前中國HBM產(chǎn)業(yè)鏈在關鍵設備端的國產(chǎn)化率不足5%，但國產(chǎn)設備企業(yè)正加速突破，在鍵合、檢測等環(huán)節(jié)已實現(xiàn)部分替代。

后道封裝與測試設備成為AI驅動下的“新增長極”

隨著AI芯片復雜度提升，封裝環(huán)節(jié)從傳統(tǒng)的“打包工”升級為“性能架構師”，在高端AI芯片成本中的占比升至35%以上，部分GPU封裝成本甚至超過晶圓制造，CoWoS、HBM等先進封裝技術成為競爭焦點。2025年半導體測試設備銷售額預計激增48.1%至112億美元，封裝設備銷售額增長19.6%至64億美元。2026、2027年測試設備銷售額預計繼續(xù)增長12.0%和7.1%，封裝設備銷售額預計增長9.2%和6.9%。驅動力來自器件架構復雜度提升、先進/異構封裝加速滲透，以及AI與HBM對性能的嚴苛要求。

國外廠商中，TEL推出新一代CoWoS封裝設備，可支持8層芯片堆疊，2025年出貨量85臺，臺積電采購50臺用于AI芯片封裝產(chǎn)線，全年封裝設備營收同比增長28%；科磊的先進封裝缺陷檢測設備出貨量同比增長45%，客戶涵蓋英特爾、AMD。

國內企業(yè)方面，拓荊科技作為國內唯一實現(xiàn)混合鍵合設備（W2W）量產(chǎn)的廠商，其晶圓對晶圓鍵合產(chǎn)品（dione 300）達到國際領先水平，2025年出貨量30臺，新一代產(chǎn)品已發(fā)貨至客戶端驗證；華卓精科自主研發(fā)的混合鍵合設備、熔融鍵合設備等全系列HBM高端裝備；長電科技作為封測龍頭，2025年第三季度先進封裝業(yè)務營收占比提升至38%，同比增長45%，毛利率達26%，其Chiplet封裝設備為國際頭部GPU企業(yè)批量供貨，AI算力芯片封裝訂單同比增長120%。

先進封裝的快速發(fā)展還推動了前道設備向封裝領域延伸，形成"跨賽道"競爭格局。盛美上海開發(fā)的后道先進封裝工藝設備，將前道濕法清洗、電鍍銅設備應用于先進封裝場景，2025年出貨量同比增長32%；北方華創(chuàng)在HBM芯片制造與先進封裝領域，可提供刻蝕、薄膜沉積、熱處理等多款核心設備，全年為先進封裝領域供貨超50臺；中微公司則在先進封裝領域全面布局刻蝕、CVD、PVD等設備，進一步拓寬市場空間。封測設備企業(yè)也迎來業(yè)績爆發(fā)，華峰測控2025年上半年營收同比增長40.99%，歸母凈利潤同比激增74.04%；長川科技2025年上半年營收同比增長41.80%，歸母凈利潤同比增長98.73%，核心受益于AI驅動下先進封裝設備需求的快速增長。

2025年是中國半導體設備國產(chǎn)化進入深水區(qū)的關鍵一年，在技術攻堅與市場需求的多重賦能下，本土企業(yè)不僅在成熟制程設備領域實現(xiàn)份額穩(wěn)步提升，更在先進制程賽道取得突破性進展。但同時，行業(yè)也面臨研發(fā)投入高企、盈利分化加劇等挑戰(zhàn)，仍需在技術迭代與生態(tài)協(xié)同中穩(wěn)步推進。

展望未來，隨著AI算力需求的持續(xù)釋放、國內晶圓廠擴產(chǎn)計劃的推進，國產(chǎn)半導體設備行業(yè)有望繼續(xù)保持上升態(tài)勢。本土企業(yè)將持續(xù)提升技術實力與市場份額，推動國產(chǎn)化從成熟制程向先進制程、從單一設備向全產(chǎn)業(yè)鏈解決方案延伸，逐步改變全球半導體設備市場的競爭格局。

來源：中國電子報、電子信息產(chǎn)業(yè)網(wǎng)