近日，日本功率器件大廠羅姆半導(dǎo)體（ROHM）公開(kāi)表示，將在氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域加強(qiáng)與臺(tái)積電合作，公司旗下的氮化鎵產(chǎn)品將全面委托臺(tái)積電代工生產(chǎn)。

羅姆的650V耐壓氮化鎵產(chǎn)品

氮化鎵是寬禁帶半導(dǎo)體的“門(mén)面”之一，隨著技術(shù)的不斷升級(jí)，其性能被進(jìn)一步開(kāi)發(fā)，已經(jīng)不再局限于快充等消費(fèi)電子市場(chǎng)，而是向新能源汽車(chē)、AI數(shù)據(jù)中心、可再生能源等熱門(mén)領(lǐng)域擴(kuò)展。市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)也愈發(fā)激烈，各大氮化鎵廠商都在盡全力擴(kuò)大自己的產(chǎn)能，以在新興領(lǐng)域搶奪更多的市場(chǎng)份額。但擴(kuò)建產(chǎn)線耗時(shí)費(fèi)力成本高，于是越來(lái)越多的廠商開(kāi)始選擇代工廠制造。

應(yīng)用越廣“造價(jià)”越高

氮化鎵作為寬禁帶半導(dǎo)體的中流砥柱，具備高頻率、低損耗、抗輻射性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，可以滿足各種應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)高效率、低能耗、高性價(jià)比的要求。

近幾年，氮化鎵市場(chǎng)格外紅火，市調(diào)組織Yole發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，2028年，氮化鎵功率器件在新能源汽車(chē)中的市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)5.04億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率將達(dá)到110%。其他包括信息通信、消費(fèi)電子、能源、工業(yè)、航天等領(lǐng)域的年復(fù)合增長(zhǎng)率將超過(guò)25%。英飛凌也特別看好氮化鎵，并預(yù)測(cè)，到2027年，氮化鎵芯片市場(chǎng)將以每年56%的速度增長(zhǎng)。

數(shù)據(jù)來(lái)源：Yole

氮化鎵技術(shù)之所以能發(fā)展得如此迅速，主要原因就是氮化鎵的制造工藝提升速度飛快，在成本、良率和穩(wěn)定性上都實(shí)現(xiàn)了優(yōu)化和改善，其在更多不同場(chǎng)景的應(yīng)用潛力才被挖掘出來(lái)。

但這也意味著制造廠商需要更先進(jìn)的制造能力、更精密的設(shè)備和更好的材料，來(lái)保證產(chǎn)品良率和生產(chǎn)速度。

半導(dǎo)體行業(yè)專(zhuān)家表示，氮化鎵的生長(zhǎng)和加工過(guò)程遠(yuǎn)比硅基半導(dǎo)體復(fù)雜得多，例如，氮化鎵襯底的生長(zhǎng)是一個(gè)極具挑戰(zhàn)的過(guò)程，因?yàn)榈壴诔合聼o(wú)法熔化、在高溫下易分解，導(dǎo)致傳統(tǒng)的熔體法無(wú)法用于氮化鎵單晶的生長(zhǎng)。而且，由于氮化鎵晶體結(jié)構(gòu)的特殊性，往往需要使用藍(lán)寶石或者碳化硅作為襯底。這些過(guò)程中的任何一個(gè)環(huán)節(jié)出現(xiàn)問(wèn)題，都會(huì)導(dǎo)致成品率的大幅下降。此外，氮化鎵的高硬度和脆性也使得后續(xù)的加工工藝變得更加困難，如切割、拋光等步驟都需要精密控制，以減少材料損失和缺陷。

圖片來(lái)源：英飛凌

特別是氮化鎵在5G通信、雷達(dá)系統(tǒng)和衛(wèi)星通信等領(lǐng)域的應(yīng)用，要求更高的工藝精度和更復(fù)雜的生產(chǎn)流程，才能實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件的高頻性能。

而且為了滿足新一代氮化鎵的制造需求，制造設(shè)備也在不斷更新?lián)Q代。新型設(shè)備通常具有更高的精度和更好的性能，但價(jià)格也相應(yīng)更高。例如，MOCVD（金屬有機(jī)物氣相沉積）設(shè)備是氮化鎵外延生長(zhǎng)的關(guān)鍵設(shè)備，隨著技術(shù)的進(jìn)步，新一代MOCVD設(shè)備的價(jià)格顯著高于舊型號(hào)。此外，為了提高生產(chǎn)效率和降低缺陷率，制造商不得不投資更先進(jìn)的清洗、檢測(cè)和封裝設(shè)備，這些設(shè)備不僅需要具備高精度的溫度、壓力和氣體流量控制功能，還需要能夠在長(zhǎng)時(shí)間的運(yùn)行過(guò)程中保持穩(wěn)定的性能。然而，這些設(shè)備的價(jià)格同樣不菲，給氮化鎵廠商帶來(lái)了巨大的資金壓力。

這些挑戰(zhàn)不斷堆積，就會(huì)導(dǎo)致氮化鎵制造產(chǎn)線的建設(shè)時(shí)間越來(lái)越長(zhǎng)。專(zhuān)家表示，一方面，由于制造技術(shù)的復(fù)雜性和設(shè)備的特殊性，產(chǎn)線的規(guī)劃和設(shè)計(jì)需要耗費(fèi)大量的時(shí)間和精力。從廠房的布局到設(shè)備的選型和安裝，每一個(gè)環(huán)節(jié)都需要經(jīng)過(guò)精心的考慮和論證。另一方面，產(chǎn)線的調(diào)試和優(yōu)化也是一個(gè)漫長(zhǎng)的過(guò)程。在正式投入生產(chǎn)之前，需要對(duì)產(chǎn)線進(jìn)行反復(fù)的調(diào)試和優(yōu)化，以確保產(chǎn)品的質(zhì)量和穩(wěn)定性。這個(gè)過(guò)程可能需要數(shù)月甚至數(shù)年的時(shí)間，十分影響氮化鎵產(chǎn)品的上市速度。

當(dāng)下盡管廠商都在積極擴(kuò)產(chǎn)和升級(jí)自己的產(chǎn)線，但面臨的困難重重，哪怕是買(mǎi)產(chǎn)線，也需要投入大量的時(shí)間和金錢(qián)去調(diào)試。這從各大廠商的財(cái)報(bào)就能看出端倪，它們用于研發(fā)和拓展產(chǎn)線的投入越來(lái)越多，這不是每一家企業(yè)都能承受的，于是有些廠商就開(kāi)始選擇由代工廠商代工。

代工是個(gè)好選擇

當(dāng)下，很多的代工廠商都早已觀察到氮化鎵市場(chǎng)的廣闊前景，并提前開(kāi)始布局。例如，代工龍頭臺(tái)積電就一直很關(guān)注氮化鎵產(chǎn)業(yè)，其程度甚至超過(guò)當(dāng)前風(fēng)頭正盛的碳化硅。

臺(tái)積電研發(fā)資深處長(zhǎng)段孝勤曾表示，臺(tái)積電在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)Ｗ⒃诘壪嚓P(guān)開(kāi)發(fā)，歷經(jīng)長(zhǎng)期的發(fā)展氮化鎵已逐漸開(kāi)始被市場(chǎng)接受，預(yù)計(jì)未來(lái)十年將有更多應(yīng)用場(chǎng)景。臺(tái)積電在氮化鎵的五個(gè)主要應(yīng)用場(chǎng)景包含數(shù)據(jù)中心、快充、太陽(yáng)能電力轉(zhuǎn)換器、48V DC/DC以及電動(dòng)車(chē)OBC/轉(zhuǎn)換器。

而且早在2020年，臺(tái)積電就宣布，要與意法半導(dǎo)體合作加速氮化鎵制程的開(kāi)發(fā)，并將分離式與整合式氮化鎵元件導(dǎo)入市場(chǎng)。透過(guò)此合作，意法半導(dǎo)體將采用臺(tái)積電公司的氮化鎵制程來(lái)生產(chǎn)其氮化鎵產(chǎn)品。

圖片來(lái)源：Yole

臺(tái)積電還與納微半導(dǎo)體合作，納微半導(dǎo)體專(zhuān)有的氮化鎵工藝設(shè)計(jì)套件（PDK）就是基于臺(tái)積電的硅基氮化鎵平臺(tái)開(kāi)發(fā)的，此舉也推動(dòng)了氮化鎵技術(shù)在電源管理等領(lǐng)域的應(yīng)用。

隨后，VisIC Technologies也與臺(tái)積電合作，使用臺(tái)積電的650V硅上氮化鎵工藝生產(chǎn)其1200伏氮化鎵模塊。這種合作有助于VisIC Technologies快速提高產(chǎn)能，同時(shí)也展示了臺(tái)積電在高電壓氮化鎵制造方面的能力。這也是羅姆愿意將其650V耐壓產(chǎn)品全面委托臺(tái)積電代工生產(chǎn)的主要原因。據(jù)了解，雖然羅姆之前主要利用內(nèi)部工廠來(lái)生產(chǎn)相關(guān)器件，但是近年來(lái)已經(jīng)開(kāi)始將部分產(chǎn)品委托臺(tái)積電代工，只是羅姆此前并未對(duì)外公布。

可以看出，臺(tái)積電在氮化鎵生產(chǎn)技術(shù)方面已經(jīng)積累了足夠的經(jīng)驗(yàn)，得到了行業(yè)認(rèn)可，其采用的硅基氮化鎵（GaN-on-Si）技術(shù)是目前半導(dǎo)體市場(chǎng)的主流技術(shù)路線之一，能夠滿足功率和射頻組件的要求。例如，2020年，臺(tái)積電開(kāi)始量產(chǎn)第一代650V和100V增強(qiáng)型氮化鎵高電子遷移率晶體管（E-HEMT），并且迅速達(dá)到滿負(fù)荷生產(chǎn)，第二代產(chǎn)品的性能也有顯著提升。此外，臺(tái)積電還開(kāi)發(fā)了外延代工的6英寸硅基氮化鎵晶圓制造技術(shù)，能夠較好地控制氮化鎵外延層的生長(zhǎng)質(zhì)量和厚度，從而提高器件的性能和可靠性。外延技術(shù)是氮化鎵制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一，臺(tái)積電在這方面的技術(shù)優(yōu)勢(shì)有助于提高其產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力。

氮化鎵產(chǎn)能方面，臺(tái)積電擁有三到四個(gè)能夠生產(chǎn)6英寸氮化鎵外延片的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）單元，生產(chǎn)能力為1.5~2千片/月（kWpM）。并且，有消息稱(chēng)，臺(tái)積電一直在采購(gòu)氮化鎵機(jī)臺(tái)設(shè)備，數(shù)量達(dá)十多臺(tái)，預(yù)估可增加產(chǎn)能上萬(wàn)片，這顯示出臺(tái)積電在不斷擴(kuò)充其氮化鎵的生產(chǎn)能力。

擴(kuò)展氮化鎵代工能力的代工廠不只是臺(tái)積電。今年7月，格芯宣布收購(gòu)Tagore Technology的功率氮化鎵技術(shù)及知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合，格芯表示，此次收購(gòu)擴(kuò)大了公司的電源IP產(chǎn)品組合，并拓寬GaN IP的獲取渠道。格芯的負(fù)責(zé)人告訴記者，已經(jīng)有企業(yè)開(kāi)始委托格芯生產(chǎn)氮化鎵的產(chǎn)品。還有像聯(lián)電、世界先進(jìn)、穩(wěn)懋半導(dǎo)體、三安集成、X-Fab等代工廠商均有氮化鎵的代工業(yè)務(wù)。

專(zhuān)家表示，隨著各大代工廠商開(kāi)始重視氮化鎵的生產(chǎn)能力，未來(lái)越來(lái)越多的氮化鎵廠商可能會(huì)尋求代工企業(yè)來(lái)生產(chǎn)一些產(chǎn)線造價(jià)過(guò)于昂貴的氮化鎵產(chǎn)品，這樣既節(jié)省開(kāi)支，又能更加專(zhuān)注于設(shè)計(jì)，氮化鎵技術(shù)的發(fā)展將更加輕快。

來(lái)源：中國(guó)電子報(bào)、電子信息產(chǎn)業(yè)網(wǎng)