當前，各主要經(jīng)濟體全力布局半導體產(chǎn)業(yè)，力爭在新的產(chǎn)業(yè)格局中占據(jù)有利位置。中國工程院院士、國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會主任干勇4月20日表示，化合物半導體是我國重構(gòu)全球半導體產(chǎn)業(yè)競爭格局的重要突破口，是我國在半導體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突圍的關(guān)鍵賽道。

  干勇是在當天舉辦的2023中國光谷九峰山論壇暨化合物半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展大會上作上述表示的。他認為，與集成電路相比，化合物半導體對下游制造環(huán)節(jié)設(shè)備的要求相對較低，投資額相對較小，能夠在一定程度上擺脫對以高精度光刻機為代表的先進加工設(shè)備的依賴。下游應(yīng)用企業(yè)基于對供應(yīng)鏈安全的考量、國家政策支持和資本市場活躍也為產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供了很好的機遇。

  全球半導體產(chǎn)業(yè)正處于新一輪深度調(diào)整階段。干勇表示，從國際半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢來看，隨著硅半導體材料主導的摩爾定律逐漸走向其物理極限，同時硅也滿足不了微波射頻、高效功率電子和光電子等新需求快速發(fā)展的需要，以第三代半導體為代表的化合物半導體材料快速崛起，未來10年將對國際半導體產(chǎn)業(yè)格局的重塑產(chǎn)生至關(guān)重要的影響。特別是光電子產(chǎn)業(yè)正從萌芽走向成長期，民用方面支撐光纖通信網(wǎng)絡(luò)、5G通信等基礎(chǔ)的信息高速公路建設(shè)，軍事上光電子技術(shù)用于激光雷達、紅外探測、通信、激光陀螺、傳感探測等，將成為整個信息產(chǎn)業(yè)中一個新的經(jīng)濟增長極。

  “2022年在全球疫情、中美博弈和需求端疲軟等多重因素影響下，全球半導體產(chǎn)業(yè)進入下行周期，但在新能源汽車、光伏、儲能等需求帶動下，國際第三代半導體產(chǎn)業(yè)增長超預期，進入高速成長期?！备捎抡f。他認為，第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展呈現(xiàn)出明顯的應(yīng)用牽引的特點。一是消費類電子產(chǎn)品、新能源汽車、5G移動通信、高效智能電網(wǎng)等領(lǐng)域展示出廣闊的、不可替代的應(yīng)用前景，預計將形成萬億級規(guī)模的應(yīng)用市場。二是上游材料產(chǎn)能持續(xù)釋放且量產(chǎn)技術(shù)趨于穩(wěn)定，器件的產(chǎn)線從6英寸向8英寸發(fā)展，推動成本大幅下降。三是隨著國產(chǎn)企業(yè)技術(shù)突圍，進口替代空間廣闊。

  干勇表示，當前國際競爭已經(jīng)由產(chǎn)品競爭、企業(yè)競爭上升為產(chǎn)業(yè)鏈之間的競爭，未來2-3年是產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵期，我國亟須形成有國際競爭力產(chǎn)品的批量化供應(yīng)能力，需要長期持續(xù)迭代應(yīng)用提高性能，發(fā)揮我國有效市場和有為政府結(jié)合的優(yōu)勢，以應(yīng)用促發(fā)展，加快產(chǎn)品迭代研發(fā)，完善材料測試評價方法和標準體系，推進國產(chǎn)材料和芯片產(chǎn)業(yè)化，培育細分領(lǐng)域國際龍頭品牌企業(yè)，提升我國產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力和國際競爭力。

  “半導體新材料、工藝和裝備這三個核心產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)協(xié)同研發(fā)創(chuàng)新是建立半導體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)核心競爭力的必要途徑，需要依托國家2030重大項目、材料國家實驗室、國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心等項目和平臺，建設(shè)戰(zhàn)略定位高端、組織運行開放、創(chuàng)新資源聚集的平臺和國家戰(zhàn)略科技力量?！备捎抡f。

  他同時建議，未來應(yīng)該進一步通過推動建設(shè)多元化動態(tài)矩陣式創(chuàng)新聯(lián)合體生態(tài)群，實現(xiàn)強鏈、強研、強基，解決產(chǎn)學研上下游缺乏有效整合、鏈條不通暢、企業(yè)弱小散、低水平重復建設(shè)等問題，在新一輪半導體產(chǎn)業(yè)競爭中發(fā)揮更大的作用。

  來源：《中國經(jīng)濟時報》