我國在市場和應用領域有戰(zhàn)略優(yōu)勢，正在形成完善的產(chǎn)業(yè)鏈條，而國際巨頭還未形成專利、標準和規(guī)模的完全壟斷，有機會實現(xiàn)寬禁帶半導體的核心技術突破和產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略引領，重塑全球半導體產(chǎn)業(yè)格局。

  盡管我國在寬禁帶半導體技術和產(chǎn)業(yè)上與國際最先進水平尚有一定差距，但應用驅動的發(fā)展模式有利于中國這樣的制造和市場大國。我國作為寬禁帶半導體的全球最大市場已啟動（包括新型電力系統(tǒng)、高鐵、新能源汽車、5G/6G通信、半導體照明及超越照明、工業(yè)電機及消費電子市場等），應用需求驅動技術創(chuàng)新的特征非常明顯。經(jīng)過20年的技術儲備，我國已形成寬禁帶半導體領域的一些單項冠軍，而國際半導體產(chǎn)業(yè)和裝備巨頭還未形成專利、標準和規(guī)模的壟斷，因此在寬禁帶半導體領域，我國與國際先進水平差距不大，有機會實現(xiàn)趕超；與集成電路產(chǎn)業(yè)相比，寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)的投資門檻相對不高，對工藝尺寸線寬、設計復雜度、裝備精密制造要求相對低。我國在寬禁帶半導體領域的材料、裝備、芯片設計和代工方面都有一些發(fā)展勢頭很好的企業(yè)，它是最適合中國目前發(fā)力的半導體材料和芯片領域之一。

美日歐加緊布局寬禁帶半導體，我國技術水平逐步提升

  當前國際上寬禁帶半導體材料和芯片已進入產(chǎn)業(yè)化快速發(fā)展階段，在新能源汽車、5G移動通信、光伏并網(wǎng)、消費類電子等多個應用領域實現(xiàn)了突破。未來5年將是全球寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關鍵窗口期，全球資本加速進入寬禁帶半導體領域，產(chǎn)能大幅度提升，正處于產(chǎn)業(yè)爆發(fā)前的“搶跑”階段。目前全球寬禁帶半導體技術和產(chǎn)業(yè)依然由美日歐企業(yè)主導，國際龍頭企業(yè)通過上下游并購和深度合作，提升競爭力，依靠先行者的成本和供應鏈優(yōu)勢，正在逐步搶抓寬禁帶半導體技術和產(chǎn)業(yè)的主導權。

  全球主要經(jīng)濟體紛紛通過加大資本投入、組建產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、吸引外商投資、強化技術等措施，確保本國/地區(qū)半導體產(chǎn)業(yè)鏈、供應鏈發(fā)展。歐盟委員會公布了《歐洲芯片法案》，提出到2030年投入超430億歐元用以提振芯片產(chǎn)業(yè)。美國組建半導體聯(lián)盟，以促進美國的半導體技術和產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

  當前我國寬禁帶半導體技術和產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢是已在半導體照明技術領域形成優(yōu)勢，光電子與微電子技術深度融合，跨界創(chuàng)新應用有望引領行業(yè)發(fā)展。國內(nèi)氮化鎵LED和半導體照明產(chǎn)業(yè)經(jīng)過近20年的高速發(fā)展，已成為全球最大的LED生產(chǎn)、消費和出口國，硅基LED芯片技術處于領先地位。

  寬禁帶半導體微波射頻芯片正在實現(xiàn)本土化發(fā)展，部分技術達到國際先進水平?；趯捊麕О雽w材料的微波射頻芯片是5G移動通信、衛(wèi)星通信等領域的核心支撐技術。目前我國在材料質量、高功率密度熱管理、芯片可靠性等方面與國際先進水平還有一定差距，關鍵制造裝備還在很大程度上依賴國外。用于微波射頻器件的半絕緣碳化硅襯底材料、氮化鎵外延材料亟待實現(xiàn)更大程度的技術提升和供應能力提升。

  寬禁帶半導體功率電子芯片具有高效率、大電流、耐高壓、抗輻照等優(yōu)異性能，契合國家“雙碳”戰(zhàn)略和產(chǎn)業(yè)鏈提升戰(zhàn)略，可用于所有電能變換環(huán)節(jié)，覆蓋消費級、工業(yè)級、汽車級、電網(wǎng)級等所有電壓等級的應用。但目前我國寬禁帶半導體車規(guī)級、電網(wǎng)級高端功率電子材料和芯片與國際先進水平仍有較大差距。在材料技術上，國際上碳化硅材料6英寸是主流技術，正在發(fā)展8英寸技術，Wolfspeed、意法半導體等已發(fā)布8英寸碳化硅襯底產(chǎn)品，預計未來3年將啟動規(guī)模應用。

我國市場投資熱情不減，產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新能力有待增強

  2021年我國寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)總產(chǎn)值已達約7900億元，主要是半導體照明產(chǎn)值，但微波射頻和功率電子產(chǎn)值增長很快。其中微波射頻產(chǎn)值69億元，同比增長13.5%，隨著近兩年下游5G基礎設施部署進入峰值，增速較前兩年稍有放緩。我國毫米波頻段的集成功放、低噪放、開關功能等射頻芯片產(chǎn)品目前還不具備產(chǎn)業(yè)化能力。

  2021年我國寬禁帶半導體功率電子產(chǎn)值規(guī)模達58億元，同比增長29.6%，未來5年有望保持年均40%的高增速，到2026年市場規(guī)模有望達500億元。其中，在中高壓領域，新能源汽車及充電基礎設施將是最大的應用領域，整體市場比重將保持在50%以上，消費電子、PV光伏市場也將保持高速增長。

  在各種積極因素推動下，我國的寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)受到資本市場的持續(xù)關注。僅2021年，就至少有60家與寬禁帶半導體相關的企業(yè)獲得風險投資，這其中功率電子領域比重最大。上游材料領域成為上市公司的布局重點。據(jù)不完全統(tǒng)計，上市企業(yè)（含IPO過會）募資超過100億元，主要集中于碳化硅材料領域，國內(nèi)首家以寬禁帶半導體為主營業(yè)務的企業(yè)也于今年年初成功登陸科創(chuàng)板，對產(chǎn)業(yè)鏈上下游其他企業(yè)形成很好的激勵作用。

  目前，我國寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)已基本實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)鏈全覆蓋，解決了產(chǎn)品有無的問題，但仍面臨著向應用端推廣難、產(chǎn)品迭代慢、測試評價條件不足等共性問題，急需在新型電力系統(tǒng)、新能源汽車、軌道交通、移動通信等若干重點領域啟動實施示范應用工程，圍繞應用場景需求，重點開發(fā)基于寬禁帶半導體材料和芯片的創(chuàng)新應用系統(tǒng)，推動新技術新產(chǎn)品落地。

  通過應用示范，集中力量解決共性關鍵技術，加速技術研發(fā)和產(chǎn)品迭代，推進產(chǎn)業(yè)化技術驗證和跨界系統(tǒng)技術集成，提升工程化技術水平及全產(chǎn)業(yè)鏈配套能力。通過應用示范，完善測試、標準、評價等創(chuàng)新支撐體系，促進寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)鏈熟化和創(chuàng)新應用模式形成，完善產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境，形成良性的產(chǎn)業(yè)發(fā)展生態(tài)。通過應用示范，加強產(chǎn)業(yè)鏈聯(lián)系，促進上下游企業(yè)交流合作，引導產(chǎn)業(yè)適度集聚，形成集群化發(fā)展態(tài)勢。