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晶圓和芯片的關(guān)系
芯片是由多個半導(dǎo)體器件組成，半導(dǎo)體一般有二極管、三極管、場效應(yīng)管、小功率電阻、電感、電容等等。
在襯底上使用摻雜技術(shù)，改變本征半導(dǎo)體中自由（電子）或者（空穴）的濃度，以此得到N區(qū)或者P區(qū)。硅、鍺、是常用的半導(dǎo)體材料 他們的特性及材質(zhì)是容易大量并且成本低廉的得到N型摻雜或者P型摻雜。
一片晶圓包括了大量的芯片，這些芯片就是按照芯片設(shè)計者的電路刻蝕在單個硅片上，取出單個的芯片封裝后就是我們看到的IC芯片了
一片晶圓上有多少顆芯片
這個是由芯片的大小和晶圓的大小以及良率來決定的
目前業(yè)界所謂的6吋、8吋、12吋還是18吋晶圓其實(shí)就是晶圓直徑的簡稱，（江蘇潤石大部分產(chǎn)品是8吋晶圓制作）只不過這個吋是估算值。實(shí)際上的晶圓直徑有如100mm，150mm，300mm，而12吋約等于300mm，為了稱呼方便所以稱之為12吋晶圓。
上述公式給出了每片晶圓可以切割出的芯片成品數(shù)目的公式
那么這就要考驗(yàn)大家的計算能力了
假設(shè)12吋晶圓每片造價5000美金，那么NVIDIA最新力作GT200的晶片大小為576平方公厘，在良率95%的情況下，平均每顆成本是多少美金？
答案：USD.87.72
晶圓制作周期
關(guān)于Wafer
wafer 即晶圓，由純硅（Si）構(gòu)成。一般分為6英寸、8英寸、12英寸規(guī)格不等，晶片就是基于這個wafer上生產(chǎn)出來的。Wafer上的一個小塊，就是一個晶片，學(xué)名die，封裝后就成為一個IC。一片載有NAND Flash晶圓的wafer，wafer首先經(jīng)過切割，然后測試，將完好的、穩(wěn)定的、足容量的die取下，封裝形成日常所見的NAND Flash芯片。那么，在wafer上剩余的，要不就是不穩(wěn)定，要不就是部分損壞或者是完全損壞的die。原廠考慮到質(zhì)量保證，會將這種die宣布死亡，嚴(yán)格定義為廢品全部報廢處理。
芯片是由多個半導(dǎo)體器件組成，半導(dǎo)體一般有二極管、三極管、場效應(yīng)管、小功率電阻、電感、電容等等。
在襯底上使用摻雜技術(shù)，改變本征半導(dǎo)體中自由（電子）或者（空穴）的濃度，以此得到N區(qū)或者P區(qū)。硅、鍺、是常用的半導(dǎo)體材料 他們的特性及材質(zhì)是容易大量并且成本低廉的得到N型摻雜或者P型摻雜。
一片晶圓包括了大量的芯片，這些芯片就是按照芯片設(shè)計者的電路刻蝕在單個硅片上，取出單個的芯片封裝后就是我們看到的IC芯片了
一片晶圓上有多少顆芯片
這個是由芯片的大小和晶圓的大小以及良率來決定的
目前業(yè)界所謂的6吋、8吋、12吋還是18吋晶圓其實(shí)就是晶圓直徑的簡稱，（江蘇潤石大部分產(chǎn)品是8吋晶圓制作）只不過這個吋是估算值。實(shí)際上的晶圓直徑有如100mm，150mm，300mm，而12吋約等于300mm，為了稱呼方便所以稱之為12吋晶圓。
上述公式給出了每片晶圓可以切割出的芯片成品數(shù)目的公式
那么這就要考驗(yàn)大家的計算能力了
假設(shè)12吋晶圓每片造價5000美金，那么NVIDIA最新力作GT200的晶片大小為576平方公厘，在良率95%的情況下，平均每顆成本是多少美金？
答案：USD.87.72
晶圓制作周期
關(guān)于Wafer
wafer 即晶圓，由純硅（Si）構(gòu)成。一般分為6英寸、8英寸、12英寸規(guī)格不等，晶片就是基于這個wafer上生產(chǎn)出來的。Wafer上的一個小塊，就是一個晶片，學(xué)名die，封裝后就成為一個IC。一片載有NAND Flash晶圓的wafer，wafer首先經(jīng)過切割，然后測試，將完好的、穩(wěn)定的、足容量的die取下，封裝形成日常所見的NAND Flash芯片。那么，在wafer上剩余的，要不就是不穩(wěn)定，要不就是部分損壞或者是完全損壞的die。原廠考慮到質(zhì)量保證，會將這種die宣布死亡，嚴(yán)格定義為廢品全部報廢處理。
